碳化硅模塊使用燒結(jié)銀雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實現(xiàn)方法

新能源車的大多數(shù)較先進 (SOTA) 電動汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍從基于 SSC-IGBT 的逆變器的 <10 kW/L 到基于 SSC-SiC 的逆變器的約 25 kW/L。100 kW/L 代表了這一關(guān)鍵指標的巨大飛躍。

當然，隨著新能源車碳化硅的廣泛應(yīng)用，散熱問題成為制約發(fā)展的瓶頸問題，雙面散熱方案被提到日程上來了。

一 碳化硅雙面散熱的優(yōu)勢

雙面散熱 SiC 模塊方面所做的工作，與傳統(tǒng)的相比，該模塊可以顯示牽引逆變器性能的巨大改進單側(cè)冷卻模塊。利用雙面散熱模塊改進的性能，可以顯著減少SiC芯片數(shù)量，從而帶來功率密度和成本優(yōu)勢。

1碳化硅芯片數(shù)量減少：從24顆減少到12顆或者16顆；

2熱阻降低30% 以上；

3電感降低70%：由于不使用銅鍵合線；

4面積縮小50%；

5綜合以上因素，可以提高接近40%的功率密度。

二  碳化硅雙面散熱的實現(xiàn)方法

碳化硅雙面散熱 DSC來說，碳化硅芯片通常夾在兩個導(dǎo)電導(dǎo)熱基板之間。以前的頂部連接方法使用覆蓋器件區(qū)域一部分的短金屬柱，已經(jīng)嘗試了許多材料用于金屬柱，例如銅、鉬等材料。

對于背面芯片來說，燒結(jié)銀AS9377比焊接有在連接方面有優(yōu)勢，無壓燒結(jié)銀形成的致密銀層具有更高的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及更高的可靠性。使用無壓燒結(jié)銀膏的一個關(guān)鍵優(yōu)點是：頂部接觸的散熱系統(tǒng)形成過程中很容易變形，從而適應(yīng)幾何變化，例如基板厚度的差異。

與用于芯片連接的其他焊料相比，燒結(jié)銀的許多優(yōu)點現(xiàn)在也轉(zhuǎn)移到了頂部連接，以及低彈性模量的優(yōu)點，因此比銅或鉬柱有更低的機電應(yīng)力。

三用于碳化硅芯片焊接的無壓納米燒結(jié)銀

燒結(jié)銀AS9377在 260°C 或更低的溫度下使用固態(tài)擴散，可以在沒有壓力輔助的情況下達到高達50MPA的剪切強度和280W/M.K的導(dǎo)熱率。

銀燒結(jié)比傳統(tǒng)焊接方法具有多種優(yōu)勢。比如低溫固化高溫服役；導(dǎo)熱系數(shù)高；剪切強度大；環(huán)保無鉛；性能可靠等優(yōu)勢。

結(jié)論

雙面散熱的功率模塊封裝的創(chuàng)新可以提高功率密度并減少 SiC 和等材料，從而在電動汽車應(yīng)用中實現(xiàn)更低的成本和更可持續(xù)的功率轉(zhuǎn)換。

本文介紹的使用無壓燒結(jié)銀AS9377的創(chuàng)新的碳化硅雙面散熱 DSC 方法可以成為用于提高電動汽車性能的眾多解決方案之一。